Tranh chấp bản quyền sáng chế: Vụ kiện không hồi kết của Samsung

Một tin không may cho ông trùm nổi danh ở Hàn Quốc. Thủ phạm không ai khác chính là Samsung, một công ty nổi tiếng ở Hàn Quốc sắp phải đối mặt với một vụ kiện vi phạm bằng sáng chế liên quan đến công nghệ FinFET. Đây là công nghệ mà Samsung đã rất tự hào trong một vài tháng qua và cũng là một bước tiến được cho sẽ được tích hợp chung trong quy trình sản xuất Snapdragon 835 của Qualcomm.

Theo các phương tiện truyền thông của Hàn Quốc, Viện khoa học và công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (KAIST) đang có kế hoạch kiện Samsung về việc vi phạm bằng sáng chế FinFET. Rõ ràng, không ai khác, KAIST mới chính là nơi đã phát triển quy trình công nghệ 10nm FinFET, thứ mà Samsung hiện nay đang sử dụng cho các flagship cao cấp của Qualcomm, nhưng công nghệ này được cho là bị đánh cắp bởi công ty Hàn Quốc này.

Việc "đánh cắp" một phần xảy ra khi Samsung đã nhà lập trình FinFET Lee Jong-ho, một giáo sư Đại học Quốc gia Seoul, một trong những đối tác của KAIST, để hướng dẫn các kỹ sư của Samsung về sự vận hành của công nghệ này. Samsung đã có thể giảm thời gian phát triển và chi phí bằng cách sao chép phát minh của ông Lee mà không tố bất kỳ chi phí nào. (Samsung) đã tiếp tục sao chép phát minh của ông Lee mà không có thẩm quyền hoặc đền bù hợp lý.

Nhằm ủng hộ KAIST,  Intel đã công nhận người phát minh thực sự của công nghệ FinFET và đã bảo đảm các giấy phép sử dụng nó, nhưng Samsung vẫn chưa làm như vậy. KAIST cũng đang nhắm đến các công ty về việc liệu chúng có vi phạm bằng sáng chế về công nghệ của mình hay không, bao gồm cả Qualcomm và TSMC.

.  Trở về trang chủ tại ĐÂY 

.  Xem các tin tức mới nhất tại ĐÂY

.  Samsung bất ngờ hé lộ chùm ảnh về người tân binh kế thừa mới nhất của Galaxy S7